Справочник MOSFET. HUF75545P3

 

HUF75545P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF75545P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75545P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  fairchild semi
 huf75545p3 huf75545s3 huf75545s3s.pdf pdf_icon

HUF75545P3

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3SData Sheet September 200275A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAINFeaturesSOURCE (FLANGE)DRAINGATE Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAINElectrical Models (FLANG

 ..2. Size:805K  onsemi
 huf75545p3 huf75545s3s.pdf pdf_icon

HUF75545P3

HUF75545P3, HUF75545S3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFET80 V, 75 A, 10 mFeaturesPackaging Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAIN Simulation ModelsSOURCE (FLANGE)DRAIN- Temperature Compensated PSPICE and SABERGATEElectrical ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Impedance Models

 6.1. Size:267K  fairchild semi
 huf75545s3 huf75545s3st.pdf pdf_icon

HUF75545P3

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3SData Sheet September 200275A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAINFeaturesSOURCE (FLANGE)DRAINGATE Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAINElectrical Models (FLANG

 7.1. Size:192K  fairchild semi
 huf75542p3-s3s.pdf pdf_icon

HUF75545P3

HUF75542P3, HUF75542S3SData Sheet December 200175A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCEDRAIN Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Thermal Impedance Model

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF75343P3 , HUF75343S3S , HUF75344G3 , HUF75344P3 , HUF75344S3S , HUF75345G3 , HUF75345P3 , HUF75345S3S , IRF9640 , HUF75545S3S , HUF75623P3 , HUF75631P3 , HUF75631SK8 , HUF75637P3 , HUF75637S3S , HUF75639G3 , HUF75639P3 .

History: BUK762R0-40E | SVG15670ND

 

 
Back to Top

 


 
.