Справочник MOSFET. FDT1600N10ALZ

 

FDT1600N10ALZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDT1600N10ALZ
   Маркировка: 16010ALZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10.42 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 2.9 nC
   Время нарастания (tr): 2.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 43 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для FDT1600N10ALZ

 

 

FDT1600N10ALZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  fairchild semi
fdt1600n10alz.pdf

FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ

November 2013FDT1600N10ALZN-Channel PowerTrench MOSFET100 V, 5.6 A, 160 mFeatures Description RDS(on) = 121 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.8 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchld Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been tai- RDS(on) = 156 m (Typ.) @ VGS = 5 V, ID = 1.8 Alored to minimize the on-state resistance and maintain superi

 ..2. Size:850K  onsemi
fdt1600n10alz.pdf

FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 3.1. Size:1411K  cn vbsemi
fdt1600n10a.pdf

FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ

FDT1600N10Awww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top