HUF75545S3S - описание и поиск аналогов

 

HUF75545S3S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUF75545S3S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO263AB

Аналог (замена) для HUF75545S3S

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75545S3S даташит

 ..1. Size:270K  fairchild semi
huf75545p3 huf75545s3 huf75545s3s.pdfpdf_icon

HUF75545S3S

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3S Data Sheet September 2002 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB DRAIN Features SOURCE (FLANGE) DRAIN GATE Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.010 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAIN Electrical Models (FLANG

 ..2. Size:805K  onsemi
huf75545p3 huf75545s3s.pdfpdf_icon

HUF75545S3S

HUF75545P3, HUF75545S3S Data Sheet October 2013 N-Channel UltraFET Power MOSFET 80 V, 75 A, 10 m Features Packaging Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.010 , VGS = 10V JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB DRAIN Simulation Models SOURCE (FLANGE) DRAIN - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical Models GATE - Spice and SABER Thermal Impedance Models

 0.1. Size:267K  fairchild semi
huf75545s3 huf75545s3st.pdfpdf_icon

HUF75545S3S

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3S Data Sheet September 2002 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB DRAIN Features SOURCE (FLANGE) DRAIN GATE Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.010 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAIN Electrical Models (FLANG

 7.1. Size:192K  fairchild semi
huf75542p3-s3s.pdfpdf_icon

HUF75545S3S

HUF75542P3, HUF75542S3S Data Sheet December 2001 75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN Ultra Low On-Resistance GATE - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 10V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance Model

Другие MOSFET... HUF75343S3S , HUF75344G3 , HUF75344P3 , HUF75344S3S , HUF75345G3 , HUF75345P3 , HUF75345S3S , HUF75545P3 , 7N60 , HUF75623P3 , HUF75631P3 , HUF75631SK8 , HUF75637P3 , HUF75637S3S , HUF75639G3 , HUF75639P3 , HUF75639S3S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.