Справочник MOSFET. FDB38N30U

 

FDB38N30U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDB38N30U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK

 Аналог (замена) для FDB38N30U

 

 

FDB38N30U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  fairchild semi
 fdb38n30u.pdf

FDB38N30U FDB38N30U

November 2013FDB38N30UN-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET300 V, 38 A, 120 mFeatures Description RDS(on) = 120 m (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 19 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltageMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 56 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and toprovide better s

 ..2. Size:660K  onsemi
 fdb38n30u.pdf

FDB38N30U FDB38N30U

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 9.1. Size:297K  fairchild semi
 fdb3860.pdf

FDB38N30U FDB38N30U

March 2009FDB3860N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 30 A, 37 mFeatures General Description Max rDS(on) = 37 m at VGS = 10 V, ID = 5.9 A This N-Channel MOSFET is rugged gate version of Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process. This part is High performance trench technology for extremely low rDS(on)tailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit,

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top