Справочник MOSFET. FCD900N60Z

 

FCD900N60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCD900N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FCD900N60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD900N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  fairchild semi
fcd900n60z.pdfpdf_icon

FCD900N60Z

December 2013FCD900N60ZN-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 4.5 A, 900 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 820 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 13 nC)and lo

 ..2. Size:849K  onsemi
fcd900n60z.pdfpdf_icon

FCD900N60Z

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDD770N15A , FDMS8820 , FDMS8320LDC , HUF76639SF085 , FDB38N30U , FDB070AN06F085 , FDD1600N10ALZ , FCD380N60E , 8205A , FCD600N60Z , FDD1600N10ALZD , FDD850N10LD , FCH072N60F , FDMB2308PZ , FDMS3669S , FDZ1323NZ , FDPC8012S .

History: KIA18N50H-247 | SFS06R06PF | SPP07N60C2 | IRFU430AP | FDMC86260 | KIA2300 | WMK08N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.