Справочник MOSFET. HUF75631P3

 

HUF75631P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF75631P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75631P3 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:254K  fairchild semi
 huf75631sk8.pdf pdf_icon

HUF75631P3

HUF75631SK8Data Sheet December 20015.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.039, VGS = 10V5 Simulation Models1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2Electrical Models34- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comSymbol

 6.2. Size:202K  fairchild semi
 huf75631s3s.pdf pdf_icon

HUF75631P3

HUF75631P3, HUF75631S3STData Sheet December 200133A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.040, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice an

 6.3. Size:249K  fairchild semi
 huf75631sk8t.pdf pdf_icon

HUF75631P3

HUF75631SK8Data Sheet December 20015.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.039, VGS = 10V5 Simulation Models1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2Electrical Models34- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comSymbol

 6.4. Size:200K  fairchild semi
 huf75631s3st.pdf pdf_icon

HUF75631P3

HUF75631P3, HUF75631S3STData Sheet December 200133A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.040, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF75344P3 , HUF75344S3S , HUF75345G3 , HUF75345P3 , HUF75345S3S , HUF75545P3 , HUF75545S3S , HUF75623P3 , 2SK3918 , HUF75631SK8 , HUF75637P3 , HUF75637S3S , HUF75639G3 , HUF75639P3 , HUF75639S3S , HUF75645P3 , HUF75645S3S .

History: SWP160R12VT | HUF76145S3S | HUF75545S3ST | SVG086R0NDTR | UTT18P10G-TA3-T | BUK7Y7R2-60E | TA17656

 

 
Back to Top

 


 
.