FCH104N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FCH104N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FCH104N60F
FCH104N60F Datasheet (PDF)
fch104n60f f085.pdf

November 2014FCH104N60F_F085N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET600 V, 37 A, 104 m DFeatures Typical RDS(on) = 91 m at VGS = 10 V, ID = 18.5 A Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A UIS CapabilityG Qualified to AEC Q101G RoHS CompliantDTO-247SSDescription SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newForcurrentpackagedr
fch104n60f.pdf

December 2013FCH104N60FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET600 V, 37 A, 104 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 98 mcharge balance technology for outstanding low on-resistanceand lower gate charge performance. This techn
fch104n60f-f085.pdf

FCH104N60F-F085N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 37 A, 104 mDFeatures Typical RDS(on) = 91 m at VGS = 10 V, ID = 18.5 A Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A UIS CapabilityG Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant GDTO-247SSDescription SuperFET II MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family tha
fch104n60.pdf

June 2014FCH104N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 37 A, 104 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 96 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 63 nC)and lower
Другие MOSFET... FDN537N , FDB9406F085 , FDD120AN15F085 , FDPC4044 , FDMC8360L , FDMC86340 , FDMC86570L , FDN371N , IRFZ24N , FDMS86350 , FDU6N25 , HUF76419SF085 , FDMS86252L , FDMS86550 , FDMA908PZ , FDS6679 , FCD620N60ZF .
History: 2SK3269-ZJ | IRFPS38N60L | IRFPS37N50APBF | SMC3407S | SST404 | SSF1016A | 2SK1019
History: 2SK3269-ZJ | IRFPS38N60L | IRFPS37N50APBF | SMC3407S | SST404 | SSF1016A | 2SK1019



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g