FCH104N60F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCH104N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FCH104N60F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCH104N60F даташит
fch104n60f f085.pdf
November 2014 FCH104N60F_F085 N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 37 A, 104 m D Features Typical RDS(on) = 91 m at VGS = 10 V, ID = 18.5 A Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A UIS Capability G Qualified to AEC Q101 G RoHS Compliant D TO-247 S S Description SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new For current package dr
fch104n60f.pdf
December 2013 FCH104N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 37 A, 104 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 98 m charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This techn
fch104n60f-f085.pdf
FCH104N60F-F085 N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 37 A, 104 m D Features Typical RDS(on) = 91 m at VGS = 10 V, ID = 18.5 A Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A UIS Capability G Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant G D TO-247 S S Description SuperFET II MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family tha
fch104n60.pdf
June 2014 FCH104N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 37 A, 104 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 96 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 63 nC) and lower
Другие MOSFET... FDN537N , FDB9406F085 , FDD120AN15F085 , FDPC4044 , FDMC8360L , FDMC86340 , FDMC86570L , FDN371N , TK10A60D , FDMS86350 , FDU6N25 , HUF76419SF085 , FDMS86252L , FDMS86550 , FDMA908PZ , FDS6679 , FCD620N60ZF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g




