FDB42AN15F085 - описание и поиск аналогов

 

FDB42AN15F085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB42AN15F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB42AN15F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB42AN15F085 даташит

 5.1. Size:255K  fairchild semi
 fdb42an15a0.pdf pdf_icon

FDB42AN15F085

September 2002 FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 35A, 42m Features Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy

 5.2. Size:258K  fairchild semi
 fdp42an15a0 fdb42an15a0.pdf pdf_icon

FDB42AN15F085

September 2002 FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 35A, 42m Features Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy

 5.3. Size:344K  fairchild semi
 fdb42an15 f085.pdf pdf_icon

FDB42AN15F085

June 2013 FDB42AN15A0_F085 N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 35A, 42m D D Features Typ rDS(on) = 30m at VGS = 10V, ID = 12A Typ Qg(tot) = 78nC at VGS = 10V, ID = 12A G UIS Capability RoHS Compliant G S Qualified to AEC Q101 TO-263 S Applications FDB SERIES Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alt

 5.4. Size:277K  inchange semiconductor
 fdb42an15a0.pdf pdf_icon

FDB42AN15F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB42AN15A0 FEATURES With TO-263 packaging Drain Source Voltage- V 150V DSS Static drain-source on-resistance RDS(on) 42m @V =10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDMS86550 , FDMA908PZ , FDS6679 , FCD620N60ZF , FDMS3660AS , FDMS86202 , FQPF2N80YDTU , FCP190N60GF102 , 20N50 , FDPF7N50U , FQP2N40 , FCP104N60F , FCH47N60FF085 , FDMC8032L , NDS351N , FDMA8051L , FDMA86551L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.