Справочник MOSFET. FDB42AN15F085

 

FDB42AN15F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB42AN15F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
 

 Аналог (замена) для FDB42AN15F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB42AN15F085 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:255K  fairchild semi
 fdb42an15a0.pdf pdf_icon

FDB42AN15F085

September 2002FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 35A, 42mFeatures Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy

 5.2. Size:258K  fairchild semi
 fdp42an15a0 fdb42an15a0.pdf pdf_icon

FDB42AN15F085

September 2002FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 35A, 42mFeatures Applications rDS(ON) = 36m (Typ.), VGS = 10V, ID = 12A DC/DC Converters and Off-line UPS Qg(tot) = 33nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Sy

 5.3. Size:344K  fairchild semi
 fdb42an15 f085.pdf pdf_icon

FDB42AN15F085

June 2013FDB42AN15A0_F085N-Channel Power Trench MOSFET150V, 35A, 42mDDFeatures Typ rDS(on) = 30m at VGS = 10V, ID = 12A Typ Qg(tot) = 78nC at VGS = 10V, ID = 12AG UIS Capability RoHS CompliantGS Qualified to AEC Q101TO-263SApplications FDB SERIES Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/alt

 5.4. Size:277K  inchange semiconductor
 fdb42an15a0.pdf pdf_icon

FDB42AN15F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB42AN15A0FEATURESWith TO-263 packagingDrain Source Voltage-: V 150VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 42m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDMS86550 , FDMA908PZ , FDS6679 , FCD620N60ZF , FDMS3660AS , FDMS86202 , FQPF2N80YDTU , FCP190N60GF102 , 2N60 , FDPF7N50U , FQP2N40 , FCP104N60F , FCH47N60FF085 , FDMC8032L , NDS351N , FDMA8051L , FDMA86551L .

History: NCE3018AS | HSL0107

 

 
Back to Top

 


 
.