Справочник MOSFET. FCH47N60F085

 

FCH47N60F085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCH47N60F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 187 nC
   trⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FCH47N60F085

 

 

FCH47N60F085 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:382K  fairchild semi
 fch47n60f f085.pdf

FCH47N60F085 FCH47N60F085

October 2013FCH47N60F_F085N-Channel MOSFET600V, 47A, 75m DFeatures Typ rDS(on) = 66m at VGS = 10V, ID = 47A Typ Qg(tot) = 190nC at VGS = 10V, ID = 47AG UIS Capability RoHS CompliantTO-247 Qualified to AEC Q101GSDSDescription SuperFETTM is Fairchilds proprietary new generation of high voltage MOSFETs utilizing an advanced charge balance Forcurren

 5.2. Size:197K  fairchild semi
 fch47n60f.pdf

FCH47N60F085 FCH47N60F085

FebruaryTMSuperFETFCH47N60F _F133600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.062balance mechanism for outstanding low on-resistance and Fast Recovery Type ( trr = 240ns) lower gate charge performance. Ult

 5.3. Size:408K  onsemi
 fch47n60f.pdf

FCH47N60F085 FCH47N60F085

MOSFET N-Channel,SUPERFET), FRFET)600 V, 47 A, 73 mWFCH47N60FDescriptionSUPERFET MOSFET is ON Semiconductors first generation ofwww.onsemi.comhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizingcharge balance technology for outstanding low on-resistanceand lower gate charge performance. This technology is tailored toVDS RDS(ON) MAX ID MAXminimize conduct

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top