FDD9407F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDD9407F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1580 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FDD9407F085
FDD9407F085 Datasheet (PDF)
fdd9407 f085.pdf

August 2013FDD9407_F085N-Channel Power Trench MOSFET40V, 100A, 2.0m DFeatures Typ rDS(on) = 1.6m at VGS = 10V, ID = 80A D Typ Qg(tot) = 86nC at VGS = 10V, ID = 80AGG UIS CapabilityS RoHS CompliantD-PAKTO-252 Qualified to AEC Q101S(TO-252)Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Electronic Ste
fdd9407l-f085.pdf

FDD9407L-F085N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 40 V, 100 A, 1.7 mDFeatures Typical RDS(on) = 1.4 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 96 nC at VGS = 10V, ID = 80 ADG UIS CapabilityG RoHS CompliantS Qualified to AEC Q101D-PAKTO-252SApplications (TO-252) Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Int
fdd9407-f085.pdf

FDD9407-F085N-Channel Power Trench MOSFET40V, 100A, 2.0mDFeatures Typ rDS(on) = 1.6m at VGS = 10V, ID = 80AD Typ Qg(tot) = 86nC at VGS = 10V, ID = 80AGG UIS CapabilityS RoHS CompliantD-PAKTO-252 Qualified to AEC Q101S(TO-252)Applications Automotive Engine Control Powertrain Management Solenoid and Motor Drivers Electronic Steering Integra
fdd9407.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FDD9407FEATURESWith TO-252(DPAK) packagingUIS capabilityHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain
Другие MOSFET... FQA13N50CF109 , FQP2P40 , FQP3N50C , FDB20N50F , FDH210N08 , FDMC86139P , FDZ1416NZ , FDMS8350L , IRFZ44N , FDMC86259P , FDMS5360LF085 , FDMS5362LF085 , FDMD84100 , FCH041N60E , FDMC6686P , FDMS86150A , FDMS8670S .
History: IRFR2607Z | SSA80R380S | JFPC18N50C | SFP036N30BC3 | SFP098N200C3 | MSU8N50Q
History: IRFR2607Z | SSA80R380S | JFPC18N50C | SFP036N30BC3 | SFP098N200C3 | MSU8N50Q



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20