Справочник MOSFET. FCH170N60

 

FCH170N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH170N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FCH170N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH170N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  fairchild semi
 fch170n60.pdf pdf_icon

FCH170N60

July 2014FCH170N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 22 A, 170 mFeatures Description 650 V @TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 150 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 42 nC) and lower

 ..2. Size:361K  inchange semiconductor
 fch170n60.pdf pdf_icon

FCH170N60

isc N-Channel MOSFET Transistor FCH170N60FEATURESWith TO-247 packagingDrain Source Voltage-: V 600VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 170m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... FDMS86163P , FDBL9401F085 , FDD9409F085 , FDMA86265P , FDMC86265P , FDMD82100L , FCH041N65F , FCH130N60 , 2SK3878 , FDN86265P , FCH077N65F , FCH190N65F , FDB86363F085 , FCH104N60 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU , FDPF44N25TRDTU .

History: SIS443DN | STH110N10F7-6 | TMC8N65H

 

 
Back to Top

 


 
.