FCH170N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCH170N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FCH170N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCH170N60 даташит
fch170n60.pdf
July 2014 FCH170N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 22 A, 170 m Features Description 650 V @TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 150 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 42 nC) and lower
Другие MOSFET... FDMS86163P , FDBL9401F085 , FDD9409F085 , FDMA86265P , FDMC86265P , FDMD82100L , FCH041N65F , FCH130N60 , 8205A , FDN86265P , FCH077N65F , FCH190N65F , FDB86363F085 , FCH104N60 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU , FDPF44N25TRDTU .
History: FQA18N50V2
History: FQA18N50V2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940