FDB86363F085 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDB86363F085  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 129 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDB86363F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB86363F085 даташит

 6.1. Size:486K  fairchild semi
 fdb86363 f085.pdf pdf_icon

FDB86363F085

June 2014 FDB86363_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET D D 80 V, 110 A, 2.4 m Features Typical RDS(on) = 2.0 m at VGS = 10V, ID = 80 A G Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability G S RoHS Compliant TO-263 S Qualified to AEC Q101 FDB SERIES Applications For current package drawing, please refer to the Fairchild Automotive Engine Co

 6.2. Size:265K  onsemi
 fdb86363-f085.pdf pdf_icon

FDB86363F085

MOSFET - POWERTRENCH), N-Channel 80 V, 110 A, 2.4 mW FDB86363-F085 Features Typical RDS(on) = 2.0 mW at VGS = 10 V, ID = 80 A www.onsemi.com Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10 V, ID = 80 A UIS Capability N-Channel AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable (Pin 2) This Device is Pb-Free, Halide Free and is RoHS Compliant D Applications Automotive Engine Control

 7.1. Size:465K  fairchild semi
 fdb86366 f085.pdf pdf_icon

FDB86363F085

December 2014 FDB86366_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 80 V, 110 A, 3.6 m Features Typical RDS(on) = 2.8 m at VGS = 10V, ID = 80 A D D Typical Qg(tot) = 86 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 G Applications G S Automotive Engine Control TO-263 S PowerTrain Management FDB SERIES Solenoid and Motor Drivers In

 7.2. Size:365K  fairchild semi
 fdb86360 f085.pdf pdf_icon

FDB86363F085

January 2014 FDB86360_F085 N-Channel Power Trench MOSFET D D 80V, 110A, 1.8m Features Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A G Typ Qg(tot) = 207nC at VGS = 10V, ID = 80A G S UIS Capability RoHS Compliant TO-263 S Qualified to AEC Q101 FDB SERIES Applications For current package drawing, please refer to the Fairchild website at www.fairchildsemi.c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDMC86265P, FDMD82100L, FCH041N65F, FCH130N60, FCH170N60, FDN86265P, FCH077N65F, FCH190N65F, IRF4905, FCH104N60, FCP104N60, FDPF39N20TLDTU, FDPF44N25TRDTU, FDPF51N25RDTU, FQPF5P20RDTU, FDP86363F085, FCPF850N80Z