FCH104N60 - описание и поиск аналогов

 

FCH104N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCH104N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для FCH104N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH104N60 даташит

 ..1. Size:765K  fairchild semi
fch104n60.pdfpdf_icon

FCH104N60

June 2014 FCH104N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 37 A, 104 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 96 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 63 nC) and lower

 ..2. Size:361K  inchange semiconductor
fch104n60.pdfpdf_icon

FCH104N60

 0.1. Size:629K  fairchild semi
fch104n60f f085.pdfpdf_icon

FCH104N60

November 2014 FCH104N60F_F085 N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 37 A, 104 m D Features Typical RDS(on) = 91 m at VGS = 10 V, ID = 18.5 A Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A UIS Capability G Qualified to AEC Q101 G RoHS Compliant D TO-247 S S Description SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new For current package dr

 0.2. Size:573K  fairchild semi
fch104n60f.pdfpdf_icon

FCH104N60

December 2013 FCH104N60F N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V, 37 A, 104 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 98 m charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This techn

Другие MOSFET... FDMD82100L , FCH041N65F , FCH130N60 , FCH170N60 , FDN86265P , FCH077N65F , FCH190N65F , FDB86363F085 , AON7408 , FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU , FDPF44N25TRDTU , FDPF51N25RDTU , FQPF5P20RDTU , FDP86363F085 , FCPF850N80Z , FCP150N65F .

History: 2SJ407 | IRFB5615 | IRFH5204 | FQA18N50V2 | IRFH5215 | 2SK1938-01 | FCMT299N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.