FCPF1300N80Z. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCPF1300N80Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22.3 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FCPF1300N80Z
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCPF1300N80Z даташит
fcpf1300n80z.pdf
July 2014 FCPF1300N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 4 A, 1.3 Features Description RDS(on) = 1.05 Typ.) SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 16.2 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 1.57
fcpf1300n80z.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fcpf1300n80z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FCPF1300N80Z FEATURES Drain-source on-resistance RDS(on) 1.3 @10V Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS AC - DC Power Supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 800 V DSS V
fcp13n60n fcpf13n60nt.pdf
August 2009 SupreMOSTM FCP13N60N / FCPF13N60NT N-Channel MOSFET 600V, 13A, 0.258 Features Description RDS(on) = 0.244 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 6.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ.Qg = 30.4nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based
Другие MOSFET... FCP104N60 , FDPF39N20TLDTU , FDPF44N25TRDTU , FDPF51N25RDTU , FQPF5P20RDTU , FDP86363F085 , FCPF850N80Z , FCP150N65F , IRFP260 , FDA16N50LDTU , FDPF33N25TRDTU , FCH072N60 , FCMT299N60 , FDMS8050 , FCH150N65FF155 , FCPF650N80Z , FCPF260N65FL1 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123




