FCPF380N65FL1 - описание и поиск аналогов

 

FCPF380N65FL1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCPF380N65FL1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FCPF380N65FL1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCPF380N65FL1 даташит

 ..1. Size:753K  fairchild semi
fcpf380n65fl1.pdfpdf_icon

FCPF380N65FL1

September 2014 FCPF380N65FL1 N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 650 V, 10.2 A, 380 m Features Description 700 V @TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing RDS(on) = 320 m (Typ.) charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg =

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
fcpf380n65fl1.pdfpdf_icon

FCPF380N65FL1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor FCPF380N65FL1 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 5.1. Size:624K  fairchild semi
fcp380n60e fcpf380n60e.pdfpdf_icon

FCPF380N65FL1

November 2013 FCP380N60E / FCPF380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 320 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charg

 5.2. Size:637K  fairchild semi
fcp380n60 fcpf380n60.pdfpdf_icon

FCPF380N65FL1

November 2013 FCP380N60 / FCPF380N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 330 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 3

Другие MOSFET... FDA16N50LDTU , FDPF33N25TRDTU , FCH072N60 , FCMT299N60 , FDMS8050 , FCH150N65FF155 , FCPF650N80Z , FCPF260N65FL1 , IRF1010E , FCP130N60 , FCPF400N80ZL1 , FCD1300N80Z , FDMA86151L , FPF1C2P5BF07A , FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 .

History: 2N5522 | 2N5517 | IRFS4310 | IRFS4229

 

 

 

 

↑ Back to Top
.