Справочник MOSFET. FDBL0630N150

 

FDBL0630N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDBL0630N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 169 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 536 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: H-PSOF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDBL0630N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  fairchild semi
fdbl0630n150.pdfpdf_icon

FDBL0630N150

November 2014FDBL0630N150N-Channel Power Trench MOSFET150V, 169A, 6.3m Features Typ rDS(on) = 5m at VGS = 10V, ID = 80A Typ Qg(tot) = 70nC at VGS = 10V, ID = 80AD UIS Capability RoHS CompliantApplications Industrial Motor DriveG Industrial Power Supply Industrial Automation Battery Operated toolsS Battery ProtectionForcurrentpackagedrawing,ple

 ..2. Size:580K  onsemi
fdbl0630n150.pdfpdf_icon

FDBL0630N150

FDBL0630N150MOSFET N-Channel,POWERTRENCH)150 V, 169 A, 6.3 mW www.onsemi.cn rDS(on) = 5 mW ( VGS = 10 V ID = 80 A) Typ Qg(tot) = 70 nC VGS = 10 V ID = 80 AVDSS rDS(ON) MAX ID MAX UIS 150 V 6.3 mW @ 10 V 169 A This Device is Pb-Free and is RoHS Compliant D G S MOSFET

 9.1. Size:488K  fairchild semi
fdbl0120n40.pdfpdf_icon

FDBL0630N150

November 2014FDBL0120N40N-Channel PowerTrench MOSFET40 V, 240 A, 1.2 m Features Typical RDS(on) = 0.9 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 90 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability D RoHS CompliantApplications Industrial Motor DriveG Industrial Power Supply Industrial Automation Battery Operated toolsS Battery ProtectionForcurrentpackage

 9.2. Size:379K  fairchild semi
fdbl0210n80.pdfpdf_icon

FDBL0630N150

April 2015FDBL0210N80N-Channel PowerTrench MOSFET80 V, 240 A, 2.0 m Features Typical RDS(on) = 1.5 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 130 nC at VGS = 10V, ID = 80 AD UIS Capability RoHS CompliantApplications Industrial Motor DriveG Industrial Power Supply Industrial Automations Battery Operated toolsS Battery ProtectionForcurrentpackaged

Другие MOSFET... FPF1C2P5MF07AM , FCP170N60 , FCPF190N65FL1 , FCU4300N80Z , FDD9410F085 , FDBL0065N40 , FDBL0090N40 , FDBL0120N40 , NCEP15T14 , FDMD8280 , FCU850N80Z , FDMS5361LF085 , FCD850N80Z , 2SK3503 , 2SK3255 , 2SJ648 , 2SK1937-01 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.