SPI70N10L - описание и поиск аналогов

 

SPI70N10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPI70N10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: PTO262

Аналог (замена) для SPI70N10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI70N10L даташит

 ..1. Size:146K  infineon
 spi70n10l spp70n10l spb70n10l.pdf pdf_icon

SPI70N10L

SPI70N10L SPP70N10L,SPB70N10L SIPMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 16 m Enhancement mode ID 70 A Logic Level P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175 C operating temperature Avalanche rated 2 dv/dt rated 3 2 1 P-TO220-3-1 Type Package Ordering Code Marking SPP70N10L P-TO220-3-1 Q67040-S4175 70N10L SPB70N10L

Другие MOSFET... 2SJ648 , 2SK1937-01 , 2SK537 , SPP100N08S2-07 , SPB100N08S2-07 , SST270 , SST271 , SPD35N10 , P60NF06 , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , NVD2955 , J203 , J204 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.