Справочник MOSFET. NVD2955

 

NVD2955 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVD2955
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для NVD2955

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD2955 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  onsemi
 ntd2955 nvd2955.pdf pdf_icon

NVD2955

NTD2955, NVD2955Power MOSFET-60 V, -12 A, P-Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. Designed for low-voltage, high-speed switching applications in power supplies, converters, and powerhttp://onsemi.commotor controls. These devices are particularly well suited for bridgecircuits where diode speed and commutating sa

Другие MOSFET... SST271 , SPD35N10 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , MMIS60R580P , J203 , J204 , SST201 , SST202 , SST203 , SST204 , JCS12N60CT , JCS12N60FT .

 

 
Back to Top

 


 
.