NVD2955 - описание и поиск аналогов

 

NVD2955. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVD2955

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для NVD2955

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD2955 даташит

 ..1. Size:98K  onsemi
 ntd2955 nvd2955.pdf pdf_icon

NVD2955

NTD2955, NVD2955 Power MOSFET -60 V, -12 A, P-Channel DPAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low-voltage, high- speed switching applications in power supplies, converters, and power http //onsemi.com motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating sa

Другие MOSFET... SST271 , SPD35N10 , SPI70N10L , SPP70N10L , SPB70N10L , SI2309DS , MT3205 , BUZ78 , 7N60 , J203 , J204 , SST201 , SST202 , SST203 , SST204 , JCS12N60CT , JCS12N60FT .

History: RUH40D40M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.