NVD2955 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVD2955
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: IPAK
NVD2955 Datasheet (PDF)
..1. Size:98K onsemi
ntd2955 nvd2955.pdf
ntd2955 nvd2955.pdf
NTD2955, NVD2955Power MOSFET-60 V, -12 A, P-Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. Designed for low-voltage, high-speed switching applications in power supplies, converters, and powerhttp://onsemi.commotor controls. These devices are particularly well suited for bridgecircuits where diode speed and commutating sa
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
