JCS12N60CT - описание и поиск аналогов

 

JCS12N60CT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS12N60CT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220C

Аналог (замена) для JCS12N60CT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS12N60CT даташит

 ..1. Size:1207K  jilin sino
 jcs12n60ct jcs12n60ft jcs12n60st jcs12n60bt.pdf pdf_icon

JCS12N60CT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N60T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 600 V Rdson-max 0.65 @Vgs=10V Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 6.1. Size:1072K  jilin sino
 jcs12n60t.pdf pdf_icon

JCS12N60CT

 7.1. Size:1140K  1
 jcs12n65t.pdf pdf_icon

JCS12N60CT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson @Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 7.2. Size:1489K  jilin sino
 jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf pdf_icon

JCS12N60CT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUZ78 , NVD2955 , J203 , J204 , SST201 , SST202 , SST203 , SST204 , AON7403 , JCS12N60FT , SI2301DS , ULB4132 , IRLB4132PBF , 2SK240 , 2SJ75 , 2SK146 , 2SJ73 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.