IRLB4132PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLB4132PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRLB4132PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLB4132PBF даташит
irlb4132pbf.pdf
Approved (Not Released) PD - TBD IRLB4132PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Optimized for UPS/Inverter Applications VDSS RDS(on) max Qg l Low Voltage Power Tools 30V 3.5m 36nC Benefits D l Best in Class Performance for UPS/Inverter Applications l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS S D l Ultra-Low Gate Impedance G l Fully Characterized Avalanche Voltage TO-220AB and Curr
irlb4132.pdf
Approved (Not Released) PD - TBD IRLB4132PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Optimized for UPS/Inverter Applications VDSS RDS(on) max Qg l Low Voltage Power Tools 30V 3.5m 36nC Benefits D l Best in Class Performance for UPS/Inverter Applications l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS S D l Ultra-Low Gate Impedance G l Fully Characterized Avalanche Voltage TO-220AB and Curr
irlb4132.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRLB4132 FEATURES With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Low voltage power tools ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source
irlb4030pbf.pdf
PD - 97369 IRLB4030PbF Applications HEXFET Power MOSFET l DC Motor Drive D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 100V l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 3.4m l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 4.3m ID 180A S Benefits l Optimized for Logic Level Drive l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS l Superio
Другие MOSFET... SST201 , SST202 , SST203 , SST204 , JCS12N60CT , JCS12N60FT , SI2301DS , ULB4132 , MMIS60R580P , 2SK240 , 2SJ75 , 2SK146 , 2SJ73 , 2SK266 , 2SK455 , 2SK456 , 2SK147 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent



