LND150N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LND150N3
Маркировка: D150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.74 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 450 ns
Выходная емкость (Cd): 2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO92
LND150N3 Datasheet (PDF)
8.1. Size:621K supertex
lnd150.pdf
lnd150.pdf
LND150N-Channel Depletion-ModeDMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode Low power drive requirement (normally-on) transistor utilizing Supertexs lateral DMOS Ease of paralleling technology. The gate is ESD protected. Excellent thermal stability Integral source-drain diode The LND1
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
