Справочник MOSFET. STP16NE06

 

STP16NE06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP16NE06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP16NE06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP16NE06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  st
stp16ne06.pdfpdf_icon

STP16NE06

STP16NE06STP16NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NE06 60 V

 ..2. Size:336K  st
stp16ne06 stp16ne06fp 2.pdfpdf_icon

STP16NE06

STP16NE06STP16NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NE06 60 V

 ..3. Size:346K  st
stp16ne06 stp16ne06fp.pdfpdf_icon

STP16NE06

STP16NE06STP16NE06FPN - CHANNEL 60V - 0.08 - 16A - TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP16NE06 60 V

 0.1. Size:188K  st
stp16ne06l stp16ne06lfp.pdfpdf_icon

STP16NE06

STP16NE06LSTP16NE06L/FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODESINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTARGET DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP16NE06L 60 V

Другие MOSFET... 2SK3599-01MR , 2SK1506 , 2SK3538 , 2SK3699-01MR , 2SK2171 , 2N5640 , FTP08N50 , FTA08N50 , 75N75 , STP16NE06FP , DMU4523D , DMD4523D , DMA4523D , DMZ6005E , DMZ6012E , FTE08N06G , FTE11N06G .

History: 2SJ646 | HIRFZ24NF

 

 
Back to Top

 


 
.