2N7013 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N7013  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO250

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N7013

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7013 даташит

 ..1. Size:365K  siliconix
 2n7012 2n7013.pdf pdf_icon

2N7013

This datasheet has been downloaded from www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.

 9.1. Size:240K  1
 2n7016.pdf pdf_icon

2N7013

Другие IGBT... 2N7002, 2N7002L, 2N7004, 2N7005, 2N7006, 2N7007, 2N7008, 2N7012, IRFB4115, 2N7014, 2N7016, 2N7022, 2N7054, 2N7055, 2N7057, 2N7058, 2N7060