2SK2369 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK2369
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SK2369 Datasheet (PDF)
2sk2369 2sk2370.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2369/2SK2370SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2369/2SK2370 is N-Channel MOS Field Effect Transis-(in millimeters)tor designed for high voltage switching applications. 3.0 0.2FEATURES4.7 MAX.15.7 MAX1.5 Low On-Resistance2SK2369: RDS(on) = 0.35 (VGS = 10 V, ID = 1
2sk2359 2sk2360.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2359/2SK2360SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel(in millimeters)MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switchingapplications. 10.6 MAX. 4.8 MAX.3.6 0.21.3 0.210.0FEATURES Low On-Resistance42SK2359: RDS(o
2sk2367 2sk2368.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2367/2SK2368SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2367/2SK2368 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeter)designed for high voltage switching applications.4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5FEATURES4 Low On-Resistance2SK2367: RDS (on) = 0.5 (VGS = 10 V, ID = 8.0 A)
2sk2361 2sk2362.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2361/2SK2362SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2361/2SK2362 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeter)designed for high voltage switching applications.FEATURES 4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5 Low On-Resistance42SK2361: RDS (on) = 0.9 (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU30C8H | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | 2SK2129
History: RU30C8H | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | 2SK2129



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055