2SK2369 - описание и поиск аналогов

 

2SK2369. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2369

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK2369

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2369 даташит

 ..1. Size:86K  nec
2sk2369 2sk2370.pdfpdf_icon

2SK2369

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2369/2SK2370 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2369/2SK2370 is N-Channel MOS Field Effect Transis- (in millimeters) tor designed for high voltage switching applications. 3.0 0.2 FEATURES 4.7 MAX. 15.7 MAX 1.5 Low On-Resistance 2SK2369 RDS(on) = 0.35 (VGS = 10 V, ID = 1

 8.1. Size:90K  nec
2sk2359 2sk2360.pdfpdf_icon

2SK2369

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2359/2SK2360 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel (in millimeters) MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. 10.6 MAX. 4.8 MAX. 3.6 0.2 1.3 0.2 10.0 FEATURES Low On-Resistance 4 2SK2359 RDS(o

 8.2. Size:99K  nec
2sk2367 2sk2368.pdfpdf_icon

2SK2369

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2367/2SK2368 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2367/2SK2368 is N-Channel MOS Field Effect Transistor (in millimeter) designed for high voltage switching applications. 4.7 MAX. 15.7 MAX. 3.2 0.2 1.5 FEATURES 4 Low On-Resistance 2SK2367 RDS (on) = 0.5 (VGS = 10 V, ID = 8.0 A)

 8.3. Size:85K  nec
2sk2361 2sk2362.pdfpdf_icon

2SK2369

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2361/2SK2362 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2361/2SK2362 is N-Channel MOS Field Effect Transistor (in millimeter) designed for high voltage switching applications. FEATURES 4.7 MAX. 15.7 MAX. 3.2 0.2 1.5 Low On-Resistance 4 2SK2361 RDS (on) = 0.9 (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

Другие MOSFET... FTD06N70C , 2SK1487 , SSP7N60B , SSS7N60B , SSM40N03P , IRF830B , IRFS830B , CLY2 , IRF840 , 2SK2370 , 2SK2357 , 2SK2358 , AOD436 , BSN304 , J309G , J310G , SSF5508 .

History: IRLR9343

 

 

 

 

↑ Back to Top
.