Справочник MOSFET. BR12N60

 

BR12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BR12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:988K  blue-rocket-elect
 br12n60.pdf pdf_icon

BR12N60

BR12N60(BRCS12N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications PFC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: VN2106 | IPT015N10N5 | BL60N25-W | 2SJ198 | 2SK3354S

 

 
Back to Top

 


 
.