BR12N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

BR12N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BR12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BR12N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:988K  blue-rocket-elect
 br12n60.pdf pdf_icon

BR12N60

BR12N60(BRCS12N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications PFC

Другие MOSFET... 2SK3508-01MR , 2SK4200LS , 2SK3354 , 2SK3354S , 2SK3354Z , 2SK2675 , 2SK596 , BR100N03 , STP75NF75 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 .

History: SI2307BDS

 

 
Back to Top

 


 
.