Справочник MOSFET. BR1N60

 

BR1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BR1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1000K  blue-rocket-elect
 br1n60.pdf pdf_icon

BR1N60

BR1N60(BRCS1N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... 2SK4200LS , 2SK3354 , 2SK3354S , 2SK3354Z , 2SK2675 , 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , 7N65 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 .

 

 
Back to Top

 


 
.