Справочник MOSFET. BR4N60

 

BR4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BR4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  blue-rocket-elect
 br4n60.pdf pdf_icon

BR4N60

BR4N60(BRCS4N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... 2SK2675 , 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , 12N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 .

History: KF4N60D | 2SJ140 | IPT007N06N | AO4812-MS | STA6620 | FSS273 | SSS2N60

 

 
Back to Top

 


 
.