BR4N60 - описание и поиск аналогов

 

BR4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для BR4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR4N60 даташит

 ..1. Size:900K  blue-rocket-elect
 br4n60.pdf pdf_icon

BR4N60

BR4N60(BRCS4N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... 2SK2675 , 2SK596 , BR100N03 , BR12N60 , BR1N60 , BR2N60 , BR4145 , BR4953 , STP75NF75 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.