BR7N80 - описание и поиск аналогов

 

BR7N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR7N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для BR7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR7N80 даташит

 ..1. Size:987K  blue-rocket-elect
 br7n80.pdf pdf_icon

BR7N80

BR7N80(BRCS7N80R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well su

Другие MOSFET... BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , IRFP260 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 , BRA4N65 .

History: 2SK293 | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.