Справочник MOSFET. BR7N80

 

BR7N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR7N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BR7N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  blue-rocket-elect
 br7n80.pdf pdf_icon

BR7N80

BR7N80(BRCS7N80R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well su

Другие MOSFET... BR4953 , BR4N60 , BR50N06 , BR50N10 , BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , 8205A , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 , BRA4N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.