BR80N75 - описание и поиск аналогов

 

BR80N75. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR80N75

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для BR80N75

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR80N75 даташит

 ..1. Size:833K  blue-rocket-elect
 br80n75.pdf pdf_icon

BR80N75

BR80N75(BRCS80N75R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

 9.1. Size:990K  blue-rocket-elect
 br80n10.pdf pdf_icon

BR80N75

BR80N10(BRCS80N10R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

 9.2. Size:859K  blue-rocket-elect
 br80n08.pdf pdf_icon

BR80N75

BR80N08(BRCS80N08R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

 9.3. Size:1333K  blue-rocket-elect
 br80n06.pdf pdf_icon

BR80N75

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BR70N06 , BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , K4145 , BR8205 , BR8N60 , BRA2N60 , BRA4N65 , BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F .

History: WMK08N65C4 | 2SK4151 | 2SK4081D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.