BR8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BR8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BR8205 Datasheet (PDF)
br8205.pdf

BR8205 Rev.D Nov.-2016 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. / Features R 2.5VDS(on)advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge and operation with
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IPD60R210PFD7S | IRC8405 | NTF2955PT1G | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217
History: IPD60R210PFD7S | IRC8405 | NTF2955PT1G | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet