Справочник MOSFET. BR8205

 

BR8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для BR8205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1413K  blue-rocket-elect
 br8205.pdf pdf_icon

BR8205

BR8205 Rev.D Nov.-2016 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. / Features R 2.5VDS(on)advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge and operation with

Другие MOSFET... BR75N08 , BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , TK10A60D , BR8N60 , BRA2N60 , BRA4N65 , BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V .

History: IXTV36N50P | FCB199N65S3

 

 
Back to Top

 


 
.