Справочник MOSFET. BR8205

 

BR8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для BR8205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1413K  blue-rocket-elect
 br8205.pdf pdf_icon

BR8205

BR8205 Rev.D Nov.-2016 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. / Features R 2.5VDS(on)advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge and operation with

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: VN0335N1 | SIHL640S | KDS4559 | IPP65R310CFD | VN0109N9

 

 
Back to Top

 


 
.