BR8N60 - описание и поиск аналогов

 

BR8N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR8N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для BR8N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR8N60 даташит

 ..1. Size:883K  blue-rocket-elect
 br8n60.pdf pdf_icon

BR8N60

BR8N60(BRCS8N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well su

Другие MOSFET... BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , AON7410 , BRA2N60 , BRA4N65 , BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R .

History: 2SK591 | AOC2403

 

 

 

 

↑ Back to Top
.