Справочник MOSFET. BR8N60

 

BR8N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR8N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для BR8N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR8N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  blue-rocket-elect
 br8n60.pdf pdf_icon

BR8N60

BR8N60(BRCS8N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well su

Другие MOSFET... BR75N75 , BR7N60 , BR7N80 , BR80N06 , BR80N08 , BR80N10 , BR80N75 , BR8205 , RFP50N06 , BRA2N60 , BRA4N65 , BRA7N80 , AON6788 , CS2N60 , CS2N60F , JCS2N60V , JCS2N60R .

 

 
Back to Top

 


 
.