Справочник MOSFET. BRD17N10

 

BRD17N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD17N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для BRD17N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD17N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:722K  blue-rocket-elect
 brd17n10.pdf pdf_icon

BRD17N10

BRD17N10(BRCS17N10D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,Low gate charge, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency switching DC/

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.