BRD17N10 - описание и поиск аналогов

 

BRD17N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD17N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для BRD17N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD17N10 даташит

 ..1. Size:722K  blue-rocket-elect
 brd17n10.pdf pdf_icon

BRD17N10

BRD17N10(BRCS17N10D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , Low gate charge, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency switching DC/

Другие MOSFET... BRB50N06 , BRB7N60 , BRB7N65 , BRB7N80 , BRB80N06 , BRB80N08 , BRB80N10 , BRD15P06 , 5N60 , BRD18N06 , BRD18P06 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , BRD3N80 .

History: CS6N70A8D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.