Справочник MOSFET. BRD3N80

 

BRD3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для BRD3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:802K  blue-rocket-elect
 brd3n80.pdf pdf_icon

BRD3N80

BRD3N80(BRCS3N80D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.1. Size:1102K  blue-rocket-elect
 brd3n25.pdf pdf_icon

BRD3N80

BRD3N25(BRCS3N25D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... BRD17N10 , BRD18N06 , BRD18P06 , BRD1N60 , BRD20N03 , BRD2N60 , BRD2N65 , BRD3N25 , IRF2807 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , BRD630 , BRD6N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.