Справочник MOSFET. BRF1N60

 

BRF1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для BRF1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:929K  blue-rocket-elect
 brf1n60.pdf pdf_icon

BRF1N60

BRF1N60(BRCS1N60F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

Другие MOSFET... BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 , IRF9640 , BRF20N50 , BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.