BRF1N60 - описание и поиск аналогов

 

BRF1N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для BRF1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF1N60 даташит

 ..1. Size:929K  blue-rocket-elect
 brf1n60.pdf pdf_icon

BRF1N60

BRF1N60(BRCS1N60F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

Другие MOSFET... BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , BRF13N50 , BRF15N65 , K2611 , BRF20N50 , BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.