Справочник MOSFET. BRF6N60

 

BRF6N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF6N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF6N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:933K  blue-rocket-elect
 brf6n60.pdf pdf_icon

BRF6N60

BRF6N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features DS dv/dt Low RDS(ON), Low gate charge, Low Crss , Fast switching, Improved dv/dt capability. / App

 9.1. Size:757K  blue-rocket-elect
 brf6n70.pdf pdf_icon

BRF6N60

BRF6N70(BRCS6N70F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. / Applications

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HAT2210R | P0804BD

 

 
Back to Top

 


 
.