BRF6N60 - описание и поиск аналогов

 

BRF6N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF6N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для BRF6N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF6N60 даташит

 ..1. Size:933K  blue-rocket-elect
 brf6n60.pdf pdf_icon

BRF6N60

BRF6N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features DS dv/dt Low RDS(ON), Low gate charge, Low Crss , Fast switching, Improved dv/dt capability. / App

 9.1. Size:757K  blue-rocket-elect
 brf6n70.pdf pdf_icon

BRF6N60

Другие MOSFET... BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , BRF5N60 , IRF3205 , BRF6N70 , BRF7N60 , BRF7N65 , BRF7N80 , BRF8N60 , BRF8N65 , BRF8N80 , CS1N60D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.