BRF8N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRF8N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
Тип корпуса: TO220FL
Аналог (замена) для BRF8N80
BRF8N80 Datasheet (PDF)
brf8n80.pdf

BRF8N80(BRCS8N80FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for h
brf8n60.pdf

BRF8N60(BRCS8N60FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for h
brf8n65.pdf

BRF8N65(BRCS8N65FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi
Другие MOSFET... BRF5N60 , BRF6N60 , BRF6N70 , BRF7N60 , BRF7N65 , BRF7N80 , BRF8N60 , BRF8N65 , IRF640 , CS1N60D , CS2N60D , CS4N60D , CS1N60 , CS4N65 , CS2300 , CS8205 , FS8205A .
History: IRF460C | 2SK1214 | SM1F02NSF | STH400N4F6-2 | 2SK957 | TPC8059-H
History: IRF460C | 2SK1214 | SM1F02NSF | STH400N4F6-2 | 2SK957 | TPC8059-H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor