CS2301 - описание и поиск аналогов

 

CS2301. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS2301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для CS2301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2301 даташит

 ..1. Size:300K  can-sheng
 cs2301 sot-23.pdf pdf_icon

CS2301

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2301 MOSFET(P-Channel) FEATURES renchFET Power MOSFET T MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage -20 V VGS Gate-Source voltage 12 V ID Drain current -3 A PD Powe

 0.1. Size:709K  blue-rocket-elect
 brcs2301ama.pdf pdf_icon

CS2301

BRCS2301AMA Rev.B Apr.-2020 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features R SOT-23 DS(ON) Super high dense cell design for low RDS(ON),SOT-23 packag.Halogen-free Product. / Applications

 0.2. Size:670K  blue-rocket-elect
 brcs2301emf.pdf pdf_icon

CS2301

 0.3. Size:709K  blue-rocket-elect
 brcs2301ma.pdf pdf_icon

CS2301

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS1N60D , CS2N60D , CS4N60D , CS1N60 , CS4N65 , CS2300 , CS8205 , FS8205A , IRFB4227 , CS2302 , CS3401 , YW3407 , CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 .

History: NTB25P06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.