BRI3N80 - описание и поиск аналогов

 

BRI3N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRI3N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для BRI3N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI3N80 даташит

 ..1. Size:792K  blue-rocket-elect
 bri3n80.pdf pdf_icon

BRI3N80

BRI3N80(BRCS3N80I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 9.1. Size:952K  blue-rocket-elect
 bri3n25.pdf pdf_icon

BRI3N80

BRI3N25(BRCS3N25I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... YW3407 , CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , IRF9540 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.