BRI3N80 - аналоги и даташиты транзистора

 

BRI3N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BRI3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  blue-rocket-elect
 bri3n80.pdf pdf_icon

BRI3N80

BRI3N80(BRCS3N80I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 9.1. Size:952K  blue-rocket-elect
 bri3n25.pdf pdf_icon

BRI3N80

BRI3N25(BRCS3N25I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... YW3407 , CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , K3569 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 .

History: IRF8252 | 2SK971 | CS8205B

 

 
Back to Top

 


 
.