Справочник MOSFET. BRI3N80

 

BRI3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  blue-rocket-elect
 bri3n80.pdf pdf_icon

BRI3N80

BRI3N80(BRCS3N80I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 9.1. Size:952K  blue-rocket-elect
 bri3n25.pdf pdf_icon

BRI3N80

BRI3N25(BRCS3N25I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... YW3407 , CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , K3569 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 .

History: R6509ENJ | GSM3484S | DMN2020LSN | R5205CND | UTT200N03 | 65N06A | SRC60R045FB

 

 
Back to Top

 


 
.