Справочник MOSFET. BRI3N80

 

BRI3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  blue-rocket-elect
 bri3n80.pdf pdf_icon

BRI3N80

BRI3N80(BRCS3N80I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 9.1. Size:952K  blue-rocket-elect
 bri3n25.pdf pdf_icon

BRI3N80

BRI3N25(BRCS3N25I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SQD25N15-52 | SJMN380R70F | 4920 | MDP5N50TH | STB200NF04L-1 | AFN3414 | AOT270AL

 

 
Back to Top

 


 
.