BRI3N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRI3N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для BRI3N80
BRI3N80 Datasheet (PDF)
bri3n80.pdf

BRI3N80(BRCS3N80I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef
bri3n25.pdf

BRI3N25(BRCS3N25I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef
Другие MOSFET... YW3407 , CS8205B , CS8205A , BRI1N60 , BRI20N03 , BRI2N60 , BRI2N65 , BRI3N25 , AO3400 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 .
History: H02N60SE | NTD4904N | SSP2N60B | VTI640F | P1087 | 2SK1033
History: H02N60SE | NTD4904N | SSP2N60B | VTI640F | P1087 | 2SK1033



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g