BRS1N80 - описание и поиск аналогов

 

BRS1N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRS1N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для BRS1N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRS1N80 даташит

 ..1. Size:249K  blue-rocket-elect
 brs1n80.pdf pdf_icon

BRS1N80

BRS1N80(CS1N80S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS DC/DC Purpose These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. , , Features Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.1. Size:243K  blue-rocket-elect
 brs1n60.pdf pdf_icon

BRS1N80

BRS1N60(CS1N60S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS DC/DC Purpose These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. , , Features Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.2. Size:228K  blue-rocket-elect
 brs1n70.pdf pdf_icon

BRS1N80

BRS1N70(CS1N70S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS DC/DC Purpose These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. , , Features Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

Другие MOSFET... BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , K4145 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F .

History: 2SK4066-DL-E | IRLML6344 | CS2N65A4 | AOK18N65L | AOD522P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.