Справочник MOSFET. BRS1N80

 

BRS1N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRS1N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для BRS1N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRS1N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  blue-rocket-elect
 brs1n80.pdf pdf_icon

BRS1N80

BRS1N80(CS1N80S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.1. Size:243K  blue-rocket-elect
 brs1n60.pdf pdf_icon

BRS1N80

BRS1N60(CS1N60S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.2. Size:228K  blue-rocket-elect
 brs1n70.pdf pdf_icon

BRS1N80

BRS1N70(CS1N70S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

Другие MOSFET... BRI630 , BRI6N70 , BRI70N03 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , IRFB3607 , BRS3N25 , BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F .

History: IRFL014PBF | IRHQ9110

 

 
Back to Top

 


 
.