2SK1235 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK1235
Тип транзистора: MESFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 6 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: 2071
2SK1235 Datasheet (PDF)
2sk123.pdf
Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK1232SK123Silicon N-Channel JunctionUnit : mmFor impedance conversion in low frequency+0.25.8 -0.3For electret capacitor microphone+0.251.52.4 0.1 -0.051.9 0.1 Features 1 High mutual conductance gm3 Low noise voltage of NV2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit1 : DrainDrain-Source vol
2sk0123 2sk123.pdf
Silicon Junction FETs (Small Signal)2SK0123 (2SK123)Silicon N-Channel Junction FETFor impedance conversion in low frequencyUnit: mmFor electret capacitor microphone0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV1 2(0.95) (0.95)1.90.12.90+0.200.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)10Parameter Symbol
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918