Справочник MOSFET. 2SK2123

 

2SK2123 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2123
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220E
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  panasonic
2sk2123.pdfpdf_icon

2SK2123

Power F-MOS FETs 2SK21232SK2123Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm FeaturesAvalanche energy capability guaranteed : EAS > 100mJ4.6 0.29.9 0.3 2.9 0.2VGSS=30V guaranteed3.2 0.1High-speed switching : tf= 35nsNo secondary breakdown2.6 0.1 Applications1.2 0.151.45 0.15 0.7 0.1Non-contact relay0.75 0.1Solenoid drive2.54 0.2Motor driv

 8.1. Size:156K  sanyo
2sk212.pdfpdf_icon

2SK2123

Ordering number:EN661EN-Channel Junction Silicon FET2SK212FM Tuner ApplicationsFeatures Package Dimensions Ideal for FM tuners in low-voltage radios, car radios,unit:mmetc.2040A Small-sized package permitting 2SK212-applied sets[2SK212]to be made small and slim.2.24.0 Small Crss (Crss=0.04pF typ). High yfs ( yfs =6.0mS typ).0.40.50.4

 8.2. Size:33K  panasonic
2sk2128.pdfpdf_icon

2SK2123

Power F-MOS FETs 2SK21282SK2128Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm FeaturesAvalanche energy capability guaranteed : EAS >15mJ4.6 0.29.9 0.3 2.9 0.2VGSS=20V guaranteed3.2 0.1High-speed switching : tf= 35nsNo secondary breakdown2.6 0.1 Applications1.2 0.151.45 0.15 0.7 0.1Non-contact relay0.75 0.1Solenoid drive2.54 0.2Motor drive

 8.3. Size:33K  panasonic
2sk2126.pdfpdf_icon

2SK2123

Power F-MOS FETs 2SK21262SK2126Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm FeaturesAvalanche energy capability guaranteed : EAS > 100mJ4.6 0.29.9 0.3 2.9 0.2VGSS=30V guaranteed3.2 0.1High-speed switching : tf= 40nsNo secondary breakdown2.6 0.1 Applications1.2 0.151.45 0.15 0.7 0.1Non-contact relay0.75 0.1Solenoid drive2.54 0.2Motor driv

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SMC3407S | PK8B0BA | IAUC100N10S5N040 | STU601S | IRF7815PBF | SPMT16040F | NCE70T180

 

 
Back to Top

 


 
.