HUF76429D3S - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HUF76429D3S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO252AA
Аналог (замена) для HUF76429D3S
HUF76429D3S технические параметры
huf76429d3st.pdf
HUF76429D3, HUF76429D3S Data Sheet February 2005 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect
huf76429d3-s.pdf
HUF76429D3, HUF76429D3S Data Sheet February 2005 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect
huf76429d f085.pdf
HUFA76429D3ST_F085 Data Sheet September 2010 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features Ultra Low On-Resistance JEDEC TO-252AA - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal Models GATE - Spice and SABER Thermal Im
Другие MOSFET... HUF76419D3S , HUF76419P3 , HUF76419S3S , HUF76423D3 , HUF76423D3S , HUF76423P3 , HUF76423S3S , HUF76429D3 , K4145 , HUF76429P3 , HUF76429S3S , HUF76432P3 , HUF76432S3S , HUF76437P3 , HUF76437S3S , HUF76439P3 , HUF76439S3S .
