HUF76429P3 - описание и поиск аналогов

 

HUF76429P3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUF76429P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для HUF76429P3

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF76429P3 даташит

 6.1. Size:346K  fairchild semi
 huf76429d f085.pdf pdf_icon

HUF76429P3

HUFA76429D3ST_F085 Data Sheet September 2010 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features Ultra Low On-Resistance JEDEC TO-252AA - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal Models GATE - Spice and SABER Thermal Im

 6.2. Size:285K  fairchild semi
 huf76429d3st.pdf pdf_icon

HUF76429P3

HUF76429D3, HUF76429D3S Data Sheet February 2005 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect

 6.3. Size:206K  fairchild semi
 huf76429s3st.pdf pdf_icon

HUF76429P3

HUF76429P3, HUF76429S3S Data Sheet December 2001 44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance DRAIN SOURCE - rDS(ON) = 0.022 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.025 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect

 6.4. Size:288K  fairchild semi
 huf76429d3-s.pdf pdf_icon

HUF76429P3

HUF76429D3, HUF76429D3S Data Sheet February 2005 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Elect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF76419P3 , HUF76419S3S , HUF76423D3 , HUF76423D3S , HUF76423P3 , HUF76423S3S , HUF76429D3 , HUF76429D3S , 13N50 , HUF76429S3S , HUF76432P3 , HUF76432S3S , HUF76437P3 , HUF76437S3S , HUF76439P3 , HUF76439S3S , HUF76443P3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.