2SK2660. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2660

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: SC63

Аналог (замена) для 2SK2660

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2660 даташит

 ..1. Size:23K  panasonic
2sk2660.pdfpdf_icon

2SK2660

Power F-MOS FETs 2SK758 2SK2660(Tentative) Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 6.5 0.1 High-speed switching 5.3 0.1 4.35 0.1 High drain-source voltage (VDSS) 3.0 0.1 Applications High-speed switching 1.0 0.1 0.85 0.1 0.75 0.1 0.5 0.1 4.6 0.1 0.05 to 0.15 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 Gate 1 2 3 2 Drain Parameter Symbol Ratin

 8.1. Size:385K  toshiba
2sk2661.pdfpdf_icon

2SK2660

2SK2661 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( MOSV) 2SK2661 Chopper Regulator, DC DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain source ON resistance RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement mode Vth = 2

 8.2. Size:414K  toshiba
2sk2662.pdfpdf_icon

2SK2660

2SK2662 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2662 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 1.35 (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 2.0 4.0 V (V =

Другие IGBT... 2SJ608, 2SK2616, 2SK2624LS, 2SK2625LS, 2SK2627, 2SK2628LS, 2SK2631, 2SK2659, AON7506, 2SK2682, 2SK2682LS, 2SJ189, 2SK1461, 2SK1462, 2SK1463, 2SK1464, 2SK1465