2SK2509. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2509

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: N-TYPE

Аналог (замена) для 2SK2509

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2509 даташит

 ..1. Size:30K  panasonic
 2sk2509.pdf pdf_icon

2SK2509

Power F-MOS FETs 2SK2509 2SK2509 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features Avalanche energy capability guaranteed 3.4 0.3 8.5 0.2 6.0 0.5 1.0 0.1 High-speed switching Low ON-resistance No secondary breakdown 1.5max. 1.1max. Applications Non-contact relay 0.8 0.1 0.5max. Solenoid drive 2.54 0.3 Motor drive 5.08 0.5 Control equipment 1 2 3 Switching mo

 8.1. Size:412K  toshiba
 2sk2508.pdf pdf_icon

2SK2509

2SK2508 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2508 Switching Regulator and DC-DC Converter and Motor Unit mm Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.18 (typ.) High forward transfer admittance Y = 13 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 250 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.5 3.5 V

 8.2. Size:426K  toshiba
 2sk2507.pdf pdf_icon

2SK2509

2SK2507 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2507 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4-V gate drive Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.034 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 16 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 50 V) Enhancement mode

 8.3. Size:83K  rohm
 2sk2504tl.pdf pdf_icon

2SK2509

2SK2504 Transistors 4V Drive Nch MOS FET 2SK2504 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET CPT3 6.5 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low On-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 0.75 4) 4V drive. 0.65 0.9 2.3 (1)Gate 5) Drive circuits can be simple. 2.3 (1) (2) (3) 0.5 (2)Drain 1.0 6) Parallel use is e

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1471, 2SK1472, 2SK1473, 2SK1474, 2SK1475, 2SK1478, 2SK1578, 2SJ190, 2N60, 2SK2530, 2SK2538, 2SK2539, 2SK2555, 2SK2571, 2SK2572, 2SK2573, 2SK2574