2SJ255. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ255

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO220ML

Аналог (замена) для 2SJ255

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ255 даташит

 ..1. Size:92K  sanyo
 2sj255.pdf pdf_icon

2SJ255

Ordering number EN4744 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ255 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ255] Micaless package facilitating easy mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO

 9.1. Size:92K  sanyo
 2sj256.pdf pdf_icon

2SJ255

Ordering number EN4232 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ256 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ256] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO

 9.2. Size:93K  sanyo
 2sj258.pdf pdf_icon

2SJ255

Ordering number EN4745 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ258 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2090A Low-voltage drive. [2SJ258] Surface mount type device making the following 10.2 4.5 1.3 possible. Reduction in the assembling time for 2SJ258- applied equipment. High-density

 9.3. Size:99K  sanyo
 2sj259.pdf pdf_icon

2SJ255

Ordering number EN4233 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ259 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2093A Low-voltage drive. [2SJ259] Surface mount type device making the following 4.5 10.2 1.3 possible. Reduction in the number of manufacturing pro- cesses for 2SJ259-applied equipment

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SJ227, 2SJ228, 2SJ229, 2SJ230, 2SJ231, 2SJ232, 2SJ233, 2SJ254, SPP20N60C3, 2SJ256, 2SJ257, 2SJ258, 2SJ259, 2SJ597, 2SK1803, 2SK1806, 2SK1813