Справочник MOSFET. 2SK1900

 

2SK1900 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1900
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SMP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1900 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  sanyo
2sk1900.pdfpdf_icon

2SK1900

Ordering number:EN4210N-Channel Silicon MOSFET2SK1900Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2093A Low-voltage drive.[2SK1900] Surface mount type device making the following4.510.21.3possible. Reduction in the number of manufacturing pro-cesses for 2SK1900-applied equipm

 8.1. Size:94K  sanyo
2sk1908.pdfpdf_icon

2SK1900

Ordering number:EN4650N-Channel Silicon MOSFET2SK1908Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2090A Low-voltage drive.[2SK1908] Surface mount type device making the following10.24.51.3possible. Reduction in the number of manufacturing pro-cesses for 2SK1908-applied equipm

 8.2. Size:95K  sanyo
2sk1906.pdfpdf_icon

2SK1900

Ordering number:EN4225N-Channel Silicon MOSFET2SK1906Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2063A Low-voltage drive.[2SK1906] Micaless package facilitating mounting.4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 3 1 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : T

 8.3. Size:98K  sanyo
2sk1909.pdfpdf_icon

2SK1900

Ordering number:EN4227N-Channel Silicon MOSFET2SK1909Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2093A Low-voltage drive.[2SK1909] Surface mount type device making the following4.510.21.3possible. Reduction in the number of manufacturing pro-cesses for 2SK1909-applied equipm

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: P0270ATF | AFP9434WS | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SIA533EDJ | IRF7811A | FTA14N50C

 

 
Back to Top

 


 
.