2SJ585LS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ585LS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: TO220FI
2SJ585LS Datasheet (PDF)
2sj585ls.pdf
Ordering number:ENN6412P-Channel Silicon MOSFET2SJ585LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ585LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute
2sj580.pdf
Ordering number : ENN66692SJ580P-Channel Silicon MOSFET2SJ580Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Low ON-resistanse.unit : mm Ultrahigh-speed switching.2062A 4V drive.[2SJ580]4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Gate0.75 2 : Drain3 : SourceSANYO : PCP(Bottom view)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=
2sj589ls.pdf
Ordering number : ENN71482SJ589LSP-Channel Silicon MOSFET2SJ589LSDC / DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm 4V drive. 2078C[2SJ589LS]10.0 4.53.22.80.91.2 1.20.75 0.71 2 31 : Gate2 : Drain3 : SourceSpecifications2.55 2.55Absolute Maximum Ratings at Ta=25CSANYO : TO-220FI(LS)Parameter Symbol Conditio
2sj583ls.pdf
Ordering number:ENN6409P-Channel Silicon MOSFET2SJ583LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ583LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute
2sj584ls.pdf
Ordering number:ENN6410P-Channel Silicon MOSFET2SJ584LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2078B Micaless package facilitating mounting.[2SJ584LS]4.510.02.83.20.91.20.70.751 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220FI-LSSpecificationsAbsolute
2sj581.pdf
PRELIMINARY PRODUCT INFORMATIONMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ581SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATIONThe 2SJ581 is P-Channel DMOS Field Effect Transistor thatPART NUMBER PACKAGEfeatures a low on-resistance and excellent switching2SJ581 MP-10characteristics, designed for high current switching applicationssuch as DC to DC converter
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F