SSF1006H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF1006H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SSF1006H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF1006H даташит

 ..1. Size:464K  silikron
 ssf1006h.pdf pdf_icon

SSF1006H

SSF1006H Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 5m (typ.) ID 200A Marking a nd p in TO-247 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:672K  silikron
 ssf1006.pdf pdf_icon

SSF1006H

SSF1006 Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 4.6m (typ.) ID 200A Mar ki ng a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body

 7.2. Size:921K  silikron
 ssf1006a.pdf pdf_icon

SSF1006H

SSF1006A Feathers ID =200A Advanced trench process technology BV=100V avalanche energy, 100% test Rdson=4.7m Typ. Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1006A is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electri

 8.1. Size:659K  silikron
 ssf1009.pdf pdf_icon

SSF1006H

SSF1009 Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 7.2mohm(typ.) ID 100A Ma r k ing an d pin Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SJ584LS, 2SJ585LS, 2SJ589LS, 2N7002KB, 2N7002KG8, SSF0115, SSF1006, SSF1006A, IRFP450, SSF1007, SSF1009, SSF1010, SSF1010A, SSF1016, SSF1016A, SSF1016D, SSF1020