SSF1010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF1010

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSF1010

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF1010 даташит

 ..1. Size:417K  silikron
 ssf1010.pdf pdf_icon

SSF1010

SSF1010 Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 9.5mohm(typ.) ID 100A Marking and pin TO220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 17

 0.1. Size:384K  silikron
 ssf1010a.pdf pdf_icon

SSF1010

SSF1010A Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 9.5mohm(typ.) ID 100A Marking and pin D2PAK Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

 8.1. Size:851K  silikron
 ssf1016d.pdf pdf_icon

SSF1010

SSF1016D Feathers ID =60A Advanced trench process technology BV=100V avalanche energy, 100% test Rdson=16m (Max.) Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1016D is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical par

 8.2. Size:544K  silikron
 ssf1016a.pdf pdf_icon

SSF1010

SSF1016A Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 13.8mohm(typ.) ID 75A Marking and pin D2PAK Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recover

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N7002KB, 2N7002KG8, SSF0115, SSF1006, SSF1006A, SSF1006H, SSF1007, SSF1009, BS170, SSF1010A, SSF1016, SSF1016A, SSF1016D, SSF1020, SSF1020A, SSF1020D, SSF1030